半導體的27個關鍵：電晶體、CMOS、TFT，突破性的創新科技 pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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圖書描述

讓我們生活便利與創新的小元件是如何誕生？
　　又是誰發明它們？
　　太陽能如何實化應用？
　　奈米科技為何這麼夯？

　　課本上沒寫、老師也不見得知道的歷史上的發明瞬間，全在這本書裡。
　　我們的生活更便利、聯繫更快速，因為有他們與他們發明的科技技術。

　　今日人們處在數位科技發達的時代，網際網路、智慧型手機、桌上型與筆記型電腦、ATM、數位相機等電子設備早已司空見慣；線上購物與付費、FB、IG、Line等現代交際途徑，更是與社會中的每個人密不可分。但有多少人知道，我們所享受的這一切，完全得益於1947年發明的電晶體和1958年發明的積體電路？

　　而半導體經過半個世紀以來的發展，日新月異的科技也不斷推動半導體的進步，27項對半導體產業有深遠影響的技術，是如何發展？如何被人們研發出來，又是如何影響著我們的生活。透過本書，讓寶貴的歷史典故與創業經驗財富流傳下來。

著者信息

作者簡介

張汝京

　　畢業於台灣大學機械工程系，紐約州立大學工程學碩士、美國南方衛理公會大學電子工程博士。2000年，創辦中芯國際積體電路製造有限公司。

　　在美國德州儀器公司(TI)20年期間，相繼在美國與日本建立並管理該公司的多座半導體工廠。離開德州儀器後，就任為世大積體電路公司(WSMC)總裁。

　　現為昇瑞光電科技(上海)有限公司董事長兼執行長，西安神光安瑞光電有限公司執行長兼總經理，是亞洲屈指可數的LED全產業鏈垂直整合的先導者並領軍人物，在中國大陸有半導體產業教父之稱。

　　為人謙和、與人為善；常常以身作則、事必躬親，雖然嚴格但不嚴厲。

圖書目錄

第1章電晶體的發明
第2章積體電路的發明
第3章 LCD技術的發明
第4章 CCD和CIS技術的發明
第5章 DRAM技術的發明
第6章非揮發性記憶體
第7章半導體鐳射器的發明
第8章光纖發展背後的人物故事
第9章太陽能電池的發展史簡介
第10章電腦技術與華人
第11章 DLP與DMD技術的發明
第12章等離子體刻蝕
第13章浸入式光刻技術
第14章新興非揮發儲存技術(NVM)
第15章短距離通信系統
第16章 MEMS/NEMS
第17章 LED發光二極體的創新過程
第18章 1+1>2: CMOS器件的發明
第19章肖特基二極體——半導體技術的革新
第20章功率半導體器件和積體電路
第21章薄膜電晶體(TFT)
第22章量子霍耳效應
第23章微光顯微鏡
第24章分析顯微鏡
第25章分子束外延
第26章有機金屬化學氣相沉積
第27章奈米技術的發展及其應用

圖書序言

蕭克萊（William Bradford Shockley，1910-1989），美國物理學家。1945 年下半年，貝爾電話實驗室成立了以蕭克萊為組長，蕭克萊、巴丁（John Bardeen,1908-1991）、布拉頓（Walter Houser Brattain,1902-）為核心的固體物理學研究小組（見圖1-2）。該小組於1947 年12 月發明點接觸電晶體，1948 年6 月貝爾電話實驗室報導了這一發明，並申請專利。1949 年蕭克萊提出結型電晶體理論，1950 年由貝爾電話實驗室M. 斯帕克斯（M. Sparks）和G.L. 皮爾遜（G.L Pearson）製造出結型電晶體。1956 年蕭克萊、巴丁、布拉頓共同獲得諾貝爾物理學獎。

這裏我們特別介紹一下布拉頓（見圖1-3），他的父親羅斯和母親奧蒂莉畢業於美國華盛頓的惠特曼學院。他們剛結婚後就來到了中國廈門，羅斯得到一份在中國學校教授科學和數學的工作，布拉頓在1902 年2 月10 日生於廈門。布拉頓一家人在中國居住了一段時間後，1903 年，布拉頓和家人回到了華盛頓。

蕭克萊於1910 年2 月13 日生於英國倫敦。其父母都是美國人，父親畢業於美國麻省理工學院，曾以採礦工程師等身份在包括中國在內的多個國家工作過，後被派駐英國。讀中學期間，蕭克萊深受其父親的好友──史丹佛大學物理系教授、X 射線領域專家羅斯（P．Ross）的影響，並被其收為義子。1932 年，蕭克萊在加州理工學院物理系獲得學士學位；此後，他轉入麻省理工學院主攻固體物理學，並於1936年獲得博士學位； 1936 年6 月，他接受貝爾基礎研究部主任凱利（M．J. Kelly）的邀請加盟貝爾實驗室。

依據量子力學理論，蕭克萊勾畫出了P 型和N 型矽半導體的能帶和能級圖，並對這些能帶、能級在外部強電場的作用下可能的變化情況進行了分析。之後，蕭克萊意識到這一統也許可以用於放大器的設計。這種利用空間場效應設計放大器的思想形成後，蕭克萊便開始嘗試用實驗來驗證自己的設想。

1945 年7 月，由蕭克萊和化學家摩爾根（S．Morgam）領導固體物理組，該組下設半導體和冶金兩個研究小組，分別負責元件和材料的研究開發，並明確由蕭克萊兼任半導體研究小組組長。研究小組成立後不久，蕭克萊在貝爾實驗室的一些夥伴──實驗物理學家布拉頓和皮爾遜、物理化學家吉布尼（R．Gibney）和電路專家摩爾（H．Moore）等人便先後加盟半導體研究小組。在蕭克萊的推薦下，半導體研究小組引進了精通固體物理的傑出理論物理學家巴丁（見圖1-4）。