Semiconductor Devices：Physics and Technology【颱大九十週年校慶版】 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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Offering a basic introduction to physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology, this resource presents students with the theoretical and practical aspects of every step in device characterizations and fabrication, with an emphasis on integrated circuits. Divided into three parts, the text covers the basic properties of semiconductor materials, emphasizing silicon and gallium arsenide; the physics and characteristics of semiconductor devices; bipolar and unipolar special microwave and photonic devices; and the latest processing technologies, from crystal growth to lithographic pattern transfer.

好的，這是一份關於一本假設的、與《半導體器件：物理與技術》無關的圖書的詳細簡介。 《星塵的低語：宇宙深空探索的哲學與工程》 作者：阿麗亞娜·維特利 齣版社：寰宇之鏡齣版社 字數：約1500字 第一部分：啓示錄前的寂靜——人類探索的內在驅動 本書並非一部簡單的科學通史，而是一次對人類嚮外凝視的深層精神探溯。從古老的占星術對天命的揣測，到伽利略首次將望遠鏡指嚮夜空，人類從未停止過對“超越此界”的渴望。在《星塵的低語》的第一部分中，作者阿麗亞娜·維特利（一位跨學科的科學哲學傢與資深宇航政策顧問）深入剖析瞭驅動人類進行星際探索的復雜動機。這不僅僅是齣於資源匱乏或對新傢園的需要，更在於一種根植於基因深處的“認知缺口恐懼癥”——即對未知信息保持沉默的本能排斥。 維特利細緻地考察瞭冷戰時期太空競賽背後的意識形態競爭，將其視為人類集體身份建構的宏大實驗。她挑戰瞭傳統上將太空探索視為純粹技術成就的觀點，轉而強調其在文化、藝術乃至宗教領域引發的深刻變革。例如，登月任務不僅是工程學的勝利，更是人類首次以前所未有的視角審視自身傢園——那顆“暗淡藍點”——從而催生瞭全球性的生態意識覺醒。作者引用瞭大量未曾公開的宇航員日記片段和早期任務控製中心的內部備忘錄，揭示瞭那些在極度壓力下，人類如何重新定義“存在”與“價值”。 本書的這一部分著重探討瞭“遙遠目標”的重要性。在當前地球社會麵臨多重危機，短期目標主導決策的背景下，長遠的、跨越代際的星際目標，如“抵達半人馬座阿爾法星”或“在木衛二冰層下尋找生命”，構成瞭對當代人類集體意誌的必要拉伸與磨礪。維特利認為，正是這些宏偉敘事，將分散的個體凝聚成一個具有共同命運感的文明。 第二部分：工程學的悖論——在絕對真空中的可行性邊界 如果說第一部分是關於“為什麼我們要去”，那麼第二部分則聚焦於“我們如何纔能到達”。本部分是本書中最具技術思辨性的章節，但它規避瞭傳統工程手冊的枯燥敘述，轉而探討瞭在物理定律的嚴苛限製下，人類工程思想所必須進行的哲學讓步。 作者引入瞭“阿基米德點失效理論”，即論證在星際尺度上，依賴單次技術突破（如超光速引擎）的思維模式是不可持續的。相反，她倡導一種分布式、冗餘化、適應性極強的工程範式。這包括對當前推進技術——如核聚變脈衝、反物質捕獲的理論瓶頸，以及對麯速場理論的深入批判性分析。 維特利用瞭大量的篇幅來闡述“生命支持係統的熵增抵抗”。她指齣，在為期數百年或數韆年的星際航行中，係統的可靠性不再是設計參數，而是宇宙演化的一個變量。因此，她詳細探討瞭“生物循環自主生態圈（BACE）”的設計理念，強調係統的自我修復、自我進化能力，而非單純的冗餘備份。其中對微生物群落、人工閤成肌肉組織在零重力下的生物力學響應分析，為未來世代的航天生物工程提供瞭全新的視角。 此外，本部分還包括對深空通信延遲的哲學探討。當一個信號需要數十年纔能到達目的地時，殖民地與地球之間的政治、文化和知識傳承關係將如何重塑？作者提齣瞭“時間差自治模型”，暗示未來的星際社會在信息層麵上將不可避免地走嚮“相對主義”。 第三部分：零度的倫理學——我們尋找的究竟是什麼？ 本書的高潮在於對“接觸”與“隔離”的倫理邊界的審視。維特利將目光投嚮瞭太陽係邊緣之外，探討瞭如果我們在某個遙遠的係外行星上發現瞭智慧生命的跡象，我們應遵循何種行為準則。 她係統梳理瞭四種主要的“首次接觸協議”的哲學基礎：從“巴斯托爾法則”（絕對不乾預，隻觀察）到“普羅米修斯乾預論”（基於特定技術門檻的主動引導）。作者認為，任何預設的倫理框架都將在麵對一個完全陌生的心智結構時迅速瓦解。因此，她主張建立一種基於“認知謙遜”的動態倫理框架。 書中對“時間膠囊”的概念進行瞭顛覆性的再定義。我們發送給未來的信息，是否隻是我們當下傲慢的投射？維特利挑戰瞭人類中心主義的敘事，提齣瞭“後人類遺産”的概念：即星際探測器攜帶的，不僅是人類文明的記錄，更是對人類文明局限性的誠實承認。 最終，作者將目光收迴，聚焦於地球本身。她總結道：星際探索的終極價值，或許並不在於發現新的世界，而在於我們如何通過理解宇宙的浩瀚與冷漠，來更深刻地理解我們自身的脆弱、美麗與唯一性。我們嚮外投射的每一個信號，最終都是對我們內心深處的追問。 讀者對象： 本書適閤對天體物理學、科學哲學、未來學、以及復雜係統設計感興趣的讀者。它要求讀者具備開放的心態，願意超越已有的學科壁壘，與作者一同進行一次關於人類未來命運的深刻冥想。

作者簡介

S. M. Sze

　　S. M. Sze is UMC Chair Professor of the National Chiao Tung University and President of the National Nano Device Laboratories, Taiwan, R.O.C. For many years he was a member of the technical staff at Bell Laboratories. Professor Sze is the co-inventor of nonvolatile semiconductor memory. He has written numerous texts on device physics, including PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, considered a reference classic. In 1991, he received the IEEE J. J. Ebers award for his “fundamental and pioneering contributions to semiconductor devices.” He received his PhD in solid-state electronic from Stanford University in 1963.

「慶祝國立颱灣大學創校九十週年選輯」總序╱王泰升
Preface
CHAPTER 1 Introduction
　1.1 Semiconductor Devices
　1.2 Semiconductor Technology
      Summary
 
PART I SEMICONDUCTOR PHYSICS
 
CHAPTER 2 Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibrium
　2.1 Semiconductor Materials
　2.2 Basic Crystal Structure
　2.3 Basic Crystal Growth Technique
　2.4 Valence Bonds
　2.5 Energy Bands
　2.6 Intrinsic Carrier Concentration
　2.7 Donors and Acceptors
      Summary
CHAPTER 3 Carrier Transport Phenomena
　3.1 Carrier Drift
　3.2 Carrier Diffusion
　3.3 Generation and Recombination Processes
　3.4 Continuity Equation
　3.5 Thermionic Emission Process
　3.6 Tunneling Process
　3.7 High-Field Effects
      Summary
 
PART II SEMICONDUCTOR DEVICES
 
CHAPTER 4 p-n Junction
　4.1 Basic Fabrication Steps
　4.2 Thermal Equilibrium Condition
　4.3 Depletion Region
　4.4 Depletion Capacitance
　4.5 Current-Voltage Characteristics
　4.6 Charge Storage and Transient Behavior
　4.7 Junction Breakdown
　4.8 Heterojunction
      Summary
CHAPTER 5 Bipolar Transistor and Related Devices
　5.1 The Transistor Action
　5.2 Static Characteristics of Bipolar Transistor
　5.3 Frequency Response and Switching of Bipolar Transistor
　5.4 The Heterojunction Bipolar Transistor
　5.5 The Thyristor and Related Power Devices
      Summary
CHAPTER 6 MOSFET and Related Devices
　6.1 The MOS Diode
　6.2 MOSFET Fundamentals
　6.3 MOSFET Scaling
　6.4 CMOS and BiCMOS
　6.5 MOSFET on Insulator
　6.6 MOS Memory Structures
　6.7 The Power MOSFET
      Summary
CHAPTER 7 MESFET and Related Devices
　7.1 Metal-Semiconductor Contacts
　7.2 MESFET
　7.3 MODFET
      Summary
CHAPTER 8 Microwave Diodes, Quantum-Effect, and Hot-Electron Devices
　8.1 Basic Microwave Technology
　8.2 Tunnel Diode
　8.3 IMPATT Diode
　8.4 Transferred-Electron Devices
　8.5 Quantum-Effect Devices
　8.6 Hot-Electron Devices
      Summary
CHAPTER 9 Photonic Devices
　9.1 Radiative Transitions and Optical Absorption
　9.2 Light-Emitting Diodes
　9.3 Semiconductor Laser
　9.4 Photodetector
　9.5 Solar Cell
      Summary
 
PART III SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
 
CHAPTER 10 Crystal Growth and Epitaxy
　10.1 Silicon Crystal Growth from the Melt
　10.2 Silicon Float-Zone Process
　10.3 GaAs Crystal-Growth Techniques
　10.4 Material Characterization
　10.5 Epitaxial-Growth Techniques
　10.6 Structures and Defects in Epitaxial Layers
        Summary
CHAPTER 11 Film Formation
　11.1 Thermal Oxidation
　11.2 Dielectric Deposition
　11.3 Polysilicon Deposition
　11.4 Metallization
        Summary
CHAPTER 12 Lithography and Etching
　12.1 Optical Lithography
　12.2 Next-Generation Lithographic Methods
　12.3 Wet Chemical Etching
　12.4 Dry Etching 431
　12.5 Microelectromechanical Systems 443
        Summary
CHAPTER 13 Impurity Doping
　13.1 Basic Diffusion Process
　13.2 Extrinsic Diffusion
　13.3 Diffusion-Related Processes
　13.4 Range of Implanted Ions
　13.5 Implant Damage and Annealing
　13.6 Implantation-Related Processes
        Summary
CHAPTER 14 Integrated Devices
　14.1 Passive Components
　14.2 Bipolar Technology
　14.3 MOSFET Technology
　14.4 MESFET Technology
　14.5 Challenges for Microelectronics
        Summary
 
APPENDIX A List of Symbols
APPENDIX B International Systems of Units (SI Units)
APPENDIX C Unit Prefixes
APPENDIX D Greek Alphabet
APPENDIX E Physical Constants
APPENDIX F Properties of Important Element and Binary Compound Semiconductors at 300 K
APPENDIX G Properties of Si and GaAs at 300 K
APPENDIX H Derivation of the Density of States in a Semiconductor
APPENDIX I Derivation of Recombination Rate for Indirect Recombination
APPENDIX J Calculation of the Transmission Coefficient for a Symmetric Resonant-Tunneling Diode
APPENDIX K Basic Kinetic Theory of Gases
APPENDIX L Answers to Selected Problems
Index
 

「慶祝國立颱灣大學創校九十週年選輯」總序

　　國立颱灣大學的前身，是成立於1928年的颱北帝國大學，今年（2018）適逢颱大創校九十週年。九十年，於個人而言，是高壽；但對一所大學來說，應屬「年輕」。迴顧颱大過往的九十年，校園外大環境的政治、社會變遷極為钜大；校園內的建製、組織、空間也隨著時空變化，有延續也有更替。颱大從初始的文政與理農兩個學部、第一屆學生59人，在數個世代、全校師生的共同耕耘之下，逐步茁壯發展。一代代的莘莘學子，在傅鍾聲裏入學，於椰林樹影中畢業，如今的颱大已成為11個學院、3個專業學院的綜閤型研究大學，學生3萬3韆多人，不僅是颱灣第一學府、高等教育的代錶，也是國際知名大學，更是引領颱灣社會發展的動力源頭。

　　作為颱大一級行政單位的齣版中心，要如何慶祝本校創校九十週年？

　　很自然地，我們會從齣版的角度來思考這件事。我們認為，大學存在的兩大目標，一是追求真理，一是作育英纔；反映在齣版品上，前者是學術研究的成果――學術著作，後者是教學必備工具――教科書。因而，我們特彆從這兩個角度，精選自1928年迄今具有代錶性、屬經典之作的學術著作與具創新、影響力的教科書共10種，以「慶祝國立颱灣大學創校九十週年選輯」為套書名稱（以下簡稱「選輯」），予以齣版，以資慶祝。選輯的作者，限於現任或曾任颱大的教師或畢業之校友。

　　九十年來的颱大，曾醞釀齣無數優秀的學者、名師，也為國傢社會培養齣眾多傑齣人纔。他們的著作，在各自的學術領域中稱得上是重要者，多不勝數。要從中選齣具「代錶性」、「影響力」的作品，並不容易。為慎重起見，齣版中心敦請校內各領域的學者，成立一專責的編輯委員會。編輯委員會成員有：高湧泉（理學院物理學係教授、科學教育發展中心主任）、張育森（生物資源暨農學院園藝暨景觀學係教授）、郭瑞祥（管理學院工商管理學係教授、管理學院院長）、陳光華（文學院圖書資訊學係教授、圖書館館長）、陳為堅（公共衛生學院公共衛生學係教授）、陳弱水（文學院曆史學係教授）、謝尚賢（工學院土木工程學係教授、係主任）、蘇國賢（社會科學院社會學係教授、社會科學院院長），以及擔任齣版中心主任的本人（法律學院科際整閤法律學研究所教授）。

　　選書的程序，分為兩個階段。第一階段，確定推薦書單，主要是透過三種方式蒐集：一、請本校各學院推薦其學院所屬領域符閤上揭期待的學術著作或教科書，至多三本；二、齣版中心就各重要學術領域，從曆年齣版及代銷的書目中，羅列齣符閤前述要求者；三、編委會的編委，亦可補充推薦。有瞭推薦書單之後，進入第二階段，由編委們從推薦書單中挑選齣最終的10種書。第一階段産生齣的推薦書單共計43種，其中各學院及齣版中心推薦者39種，編委補充推薦者4種。接著，由齣版中心召開編委會議，委員們共聚一堂，選齣最終書單。因選輯著重在作者與著作本身對颱大及該學術領域的「經典之作」，編委們第一步就先排除瞭圖鑑、工具書、事典等形式的著作，再就所剩書單逐一討論，最終選齣10種書，依各書之初版日期可排列如下：

　　•《增補水稻耕種法講演》（磯永吉著，日文）
　　•《沒有顔色的思想：殷海光與自由主義讀本》（殷海光著）
　　•《管理學》（許士軍著）
　　•《經濟學：理論與實際》（張清溪、許嘉棟、劉鶯釧、吳聰敏著）
　　•《公共衛生學》（王榮德、江東亮、陳為堅、詹長權編）
　　•《程序製度機能論》（民事程序法之理論與實務 第一捲）（邱聯恭著）
　　•Semiconductor Devices: Physics and Technology (2nd Edition)（施敏著）
　　•《華人心理的本土化研究》（楊國樞著）
　　•《中國文學史》（颱靜農著）
　　•《跨國灰姑娘：當東南亞幫傭遇上颱灣新富傢庭》（藍佩嘉著）

　　上述10種書，皆在各自的學術領域有其重要性與深遠影響力。書單中，學術著作5種，文集1種，教科書4種；部分教科書因有分冊，故選輯總數是10種13冊。在編輯上，選輯皆保留各書的原有內容，重新裝幀設計齣版，有幾種因授權緣故為限量發行。要特彆說明的是：磯永吉的《增補水稻耕種法講演》，是作為颱北帝大時期的代錶作收入選輯，以日文復刻方式齣版，為選輯中唯一的直排書。颱靜農的《中國文學史》，之前曾收入「颱大齣版中心20週年選輯」，這次編委們一緻認為颱老師的著作不應在這個重要的選輯中缺席，齣版中心在編輯上特彆把它上下冊閤而為一，且配閤晚近學界的習慣採取橫排的方式，內容雖同但版本有異，提供讀者另一選擇。殷海光的著作，原本列在推薦書單上是他的《中國文化的展望》，但經討論，決議選錄殷海光關於自由主義的重要文章輯為一冊，以彰顯這位1950、1960年代颱灣自由主義的開山人物。藍佩嘉的《跨國灰姑娘》是編委們討論的另一熱點，主因它是最近的齣版品（2008），最後仍決定收入選輯以彰顯學術傳承之意義。

　　這套選輯中，有的是作者自行齣版的書，有的則是其他齣版社擁有齣版權。對齣版中心而言，最大的睏難處是取得作者或齣版社的同意，讓我們收入選輯。齣乎意料的是，洽談過程極為順利，不論是作者或是齣版社，都非常願意並隨即同意授權給齣版中心，讓我們得以齣版發行。在此，我要代錶齣版中心嚮選輯的作者及同意授權的齣版社（單位），緻上最誠摯的謝意。他們是：磯永吉學會；颱益公先生；邱聯恭教授；楊國樞及居中聯絡的瞿海源兩位教授，以及桂冠齣版社；藍佩嘉教授及行人齣版社；殷海光基金會；施敏教授及John Wiley & Sons齣版社；許士軍教授及東華齣版社；張清溪、許嘉棟、吳惠林（劉鶯釧著作財産權繼承人）、吳聰敏等四位教授；陳拱北基金會。沒有他們的熱心幫忙與慨允，這套選輯不可能在颱大九十週年校慶時順利齣版。

　　透過這套書的齣版，我們期盼：它能呈現九十年來颱大在學術研究及教學上，對人類知識及社會國傢的貢獻。同時，它也是對獻身於研究、教學的作者個人成就的最佳禮贊。當然，對齣版中心本身而言，這套書的齣版另具有「標竿齣版品」的意義。它不隻是我們的齣版目標，也展現瞭努力與堅持的方嚮！
Preface

　　The book is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It is intended as a textbook for undergraduate students in applied physics, electrical and electronics engineering, and materials science. It can also serve as a reference for practicing engineers and scientists who need an update on device and technology developments.

　　TOPICAL COVERAGE

　　• Chapter 1 gives a brief historical review of major semiconductor devices and key technology developments. The text is then organized into three parts.

　　• Part I, Chapters 2-3, describes the basic properties of semiconductors and their conduction processes, with special emphasis on the two most important semiconductors: silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs). The concepts in Part I will be used throughout this book. These concepts requires a background knowledge of modern physics and college calculus.

　　• Part II, Chapters 4-9, discusses the physics and characteristics of all major semiconductor devices. We begin with the p-n junction which is the key building block of most semiconductor devices. We proceed to bipolar and field-effect devices and then cover microwave, quantum-effect, hot-electron, and photonic devices.

　　• Part III, Chapters 10-14, deals with processing technology from crystal growth to impurity doping. We present the theoretical and practical aspects of the major steps in device fabrication with an emphasis on integrated devices.

　　KEY FEATURES

　　Each chapter includes the following features:

　　• The chapter starts with an overview of the topical contents. A list of learning goals is also provided.

　　• The second edition has tripled the worked-out examples that apply basic concepts to specific problems.

　　• A chapter summary appears at the end of each chapter to summarize the important concepts and to help the student review the content before tackling the homework problems that follow.

　　• The book includes about 250 homework problems, over 50% of them new to the second edition. Answers to odd-numbered problems, which have numerical solutions are provided in Appendix L at the back of the book.

　　COURSE DESIGN OPTIONS

　　The second edition can provide greater flexibility in course design. The book contains enough material for a full-year sequence in device physics and processing technology. Assuming three lectures per week, a two-semester sequence can cover Chapters 1-7 in the first semester, leaving Chapters 8-14 for the second semester. For a three-quarter sequence, the logical break points are Chapters 1-5, Chapters 6-9, and Chapters 10-14.

　　A two-quarter sequence can cover Chapters 1-5 in the first quarter. The instructor has several options for the second quarter. For example, covering Chapters 6, 11, 12, 13, and 14 produces a strong emphasis on the MOSFET and its related process technologies, while covering Chapters 6-9 emphasizes all major devices. For a one-quarter course on semiconductor device processing, the instructor can cover Section 1.2 and Chapters 10 -14.

　　A one-semester course on basic semiconductor physics and devices can cover Chapters 1-7. A one-semester course on microwave and photonic devices can cover Chapters 1-4, 7-9. If the students already have some familiarity with semiconductor fundamentals, a one-semester course on Submicron MOSFET: Physics and Technology can cover Chapters 1, 6, 10-14. Of course, there are many other course design options depending on the teaching schedule and the instructor’s choice of topics.

　　TEXTBOOK SUPPLEMENTS

　　• Instructor’s Manual. A complete set of detailed solutions to all the end-of chapter problems has been prepared. These solutions are available free to all adopting faculty.

　　• The figures used in the text are available, in electronic format, to instructors from the publisher. Instructors can find out more information at the publisher’s website at: www.wiley.com/college/sze
 

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》這本書，對我來說，是一次思維方式的革新。書中關於半導體器件的失效分析，讓我看到瞭科學傢和工程師們是如何像偵探一樣，抽絲剝繭地找齣問題的根源。作者從多個角度，例如從材料、工藝、設計以及環境因素等方麵，分析瞭導緻器件失效的各種可能性，並提齣瞭相應的分析方法和診斷工具。我尤其贊賞書中對案例研究的深入剖析，這些真實的失效案例，讓我對器件設計和製造中的潛在風險有瞭更直觀的認識。它不僅僅是關於“是什麼”，更是關於“為什麼”以及“如何避免”。這本書，讓我學會瞭從更宏觀和更微觀的視角來審視問題，並培養瞭我解決復雜工程問題的能力。它讓我明白，在追求技術創新的同時，安全和可靠性同樣重要。

评分☆☆☆☆☆

這本《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》不僅僅是一本關於物理和技術的書籍，它更像是一部關於創新和進步的史詩。書中關於集成電路的製造工藝，特彆是光刻和刻蝕技術的部分，讓我對現代電子工業的精密程度感到無比震撼。作者以一種極其細緻的筆觸，描繪瞭從矽片製備、薄膜生長，到光刻、刻蝕、摻雜等一係列復雜而精密的工藝步驟。我仿佛能看到成韆上萬的工程師和技術人員，如何在潔淨室中，用近乎苛刻的精度，將微小的圖案“雕刻”在矽片上，最終形成我們現在所熟知的集成電路。書中對光刻技術中關鍵參數的討論，例如分辨率、套刻精度等，讓我對芯片製造的難度有瞭切身的體會。而關於不同刻蝕方法的優缺點分析，如乾法刻蝕和濕法刻蝕，也讓我看到瞭技術發展中權衡與取捨的智慧。更讓我感到興奮的是，書中還對未來半導體製造技術的發展趨勢進行瞭展望，例如三維集成、新材料的應用等，這讓我對這個領域的未來充滿瞭期待。它不僅僅傳授知識，更是在點燃我探索未知、追求卓越的熱情。這本書，為我描繪瞭一個充滿無限可能的微觀世界。

评分☆☆☆☆☆

這本《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》對我而言，絕對是一本裏程碑式的讀物，它不僅僅是一本書，更像是一次穿越半導體技術發展史的壯麗旅程，讓我對這個在我們日常生活中無處不在卻又神秘莫測的領域有瞭前所未有的深刻理解。從書中那些看似枯燥的物理原理，到那些精妙絕倫的器件設計，再到那些引領時代潮流的製造工藝，我仿佛親眼見證瞭電子時代的曙光是如何被一點點點燃的。尤其是其中關於pn結形成機製的闡述，那種將抽象概念轉化為清晰圖景的能力，簡直令人嘆為觀止。作者不僅深入淺齣地解釋瞭載流子擴散、漂移等基本過程，還巧妙地運用瞭類比和實例，使得即便是初次接觸半導體物理的讀者，也能迅速抓住核心要點，不再感到茫然。而當進入到晶體管和集成電路的部分，更是讓我驚嘆不已。從最初簡單的放大器，到如今集萬韆功能於一身的微處理器，這背後蘊含著多少智慧的結晶和不懈的努力！書中對MOSFET和BJT等關鍵器件的原理、特性以及實際應用的詳盡介紹，無疑為我打開瞭通往半導體世界的大門，讓我看到瞭電子元件是如何從微小的矽片上“生長”齣來，並最終構建起我們今天所依賴的數字世界的。它讓我明白，那些我們每天使用的智能手機、電腦，甚至是我們身邊的各種電器，其核心都離不開這些精密的半導體器件。這本書的價值，遠不止於理論知識的傳授，它更在於它所激發的求知欲和探索精神，讓我渴望深入瞭解更多關於半導體製造、設計以及未來發展的相關知識。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》給我帶來的，不僅僅是知識的增長，更是一種對科學研究精神的深刻體悟。書中對半導體器件的建模和仿真方法的介紹，讓我看到瞭理論研究與實際應用之間是如何緊密相連的。作者詳細闡述瞭如何通過數學模型來描述器件的電學特性，以及如何利用計算機仿真工具來預測器件的性能，甚至優化設計。這讓我意識到，在半導體領域，抽象的數學語言是工程師們進行創新和解決問題的有力武器。書中對不同仿真軟件的介紹和應用案例的分析，也為我提供瞭寶貴的實踐指導。它不僅僅是理論的傳遞，更是在教導我如何將理論知識轉化為解決實際問題的能力。我尤其欣賞書中關於器件可靠性分析的部分。在高度集成化的今天，器件的可靠性至關重要。作者從物理機製的角度，深入剖析瞭導緻器件失效的各種因素，例如熱失效、電遷移、擊穿等，並提齣瞭相應的預防和測試方法。這讓我深刻理解到，一個成功的半導體器件，不僅要有優異的性能，更要有卓越的可靠性。這本書，讓我看到瞭科學研究的嚴謹與審慎，也讓我體會到工程師的責任與擔當。

评分☆☆☆☆☆

坦白說，初翻閱《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》時，我曾有過一絲畏懼，畢竟“半導體”這個詞本身就帶著一絲技術門檻的意味。然而，這本書的敘事方式和內容編排，卻以一種令人驚喜的流暢性和邏輯性，逐步瓦解瞭我最初的顧慮。它並非簡單地堆砌公式和理論，而是巧妙地將物理學的嚴謹與工程學的實用性融為一體。書中對於量子力學在半導體能帶理論中的應用的講解，是我之前接觸過的任何材料都無法比擬的。作者用清晰的圖示和深入的解析，將電子在晶體中的運動軌跡、能帶的形成以及載流子在不同能級之間的躍遷過程描繪得淋灕盡緻，讓我深刻理解瞭為什麼半導體材料具有如此獨特的導電特性，以及這種特性是如何被工程師們巧妙利用來製造各種功能各異的電子器件的。尤其是在討論肖特基二極管和齊納二極管的部分，我被其中對這些特殊結構器件的內在物理機製的深入剖析所摺服。它不僅解釋瞭這些器件的工作原理，還詳細闡述瞭它們在實際應用中的關鍵作用，例如在高速開關和穩壓電路中的不可替代性。這本書讓我意識到，每一個微小的電子元器件背後，都凝聚著深厚的物理學知識和精湛的工程技術，它們默默地工作，支撐著我們現代社會的運轉。閱讀過程中，我不斷被書中揭示的科學之美和技術之巧所吸引，也更加堅定瞭我深入研究半導體領域的決心。

评分☆☆☆☆☆

在讀完《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》後，我深刻體會到，半導體技術不僅僅是關於電子元件的物理原理，更是關於如何利用這些原理來解決人類社會麵臨的各種挑戰。書中對半導體在新能源、生物醫療等領域的應用的展望，讓我看到瞭這個技術領域的廣闊前景。作者通過生動的案例，展示瞭半導體器件在太陽能電池、傳感器、微流控芯片等領域的關鍵作用，以及它們如何推動著這些領域的發展。我尤其被書中關於柔性電子和可穿戴設備的介紹所吸引，這讓我看到瞭半導體技術是如何與我們的生活方式深度融閤，創造齣更便捷、更智能的未來。這本書，不僅僅是一本技術手冊，更是一本關於未來科技的啓示錄，它讓我對半導體技術的發展潛力充滿瞭無限的想象和憧憬。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》這本書，對我而言，是一次對“微觀世界”的奇妙探索之旅。書中關於半導體材料的選擇和性能優化，特彆是對化閤物半導體材料的介紹，讓我驚嘆於人類在材料科學領域的創造力。作者深入闡述瞭GaAs、GaN等化閤物半導體材料的獨特優勢，例如更高的載流子遷移率、更寬的禁帶寬度等，以及它們在高速通信、大功率器件等領域的應用。我之前一直對矽基半導體技術非常熟悉，但這本書讓我看到瞭更廣闊的天地，原來還有這麼多神奇的材料，能夠實現矽基材料所無法達到的性能。書中對不同材料的能帶結構、載流子輸運特性以及光學特性的詳細對比分析，讓我對材料設計與器件性能之間的關係有瞭更深刻的理解。它讓我意識到，選擇閤適的材料，是設計高性能半導體器件的第一步。這本書，不僅拓展瞭我的知識邊界，更激發瞭我對材料科學與電子工程交叉領域的濃厚興趣。

评分☆☆☆☆☆

閱讀《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》的過程，對我來說，是一次深刻的認知升級。書中對信息論在半導體通信中的應用的探討，讓我看到瞭物理學與信息科學的奇妙融閤。作者巧妙地將香農的信息熵、信道容量等概念引入半導體通信的討論中，讓我明白瞭為什麼在有限的帶寬和信號噪聲乾擾下，我們仍然能夠進行高效的信息傳輸。書中對不同編碼技術和糾錯碼原理的講解，也讓我對現代通信係統的可靠性有瞭更深的認識。它不僅僅是關於電子元器件的物理原理，更是關於如何利用這些元器件來實現高效、可靠的信息交互。我尤其贊賞書中對網絡編碼和分布式信源編碼等前沿概念的介紹，這讓我看到瞭半導體技術在構建未來智能網絡中所扮演的關鍵角色。這本書，讓我看到瞭半導體器件不僅僅是“電子管”，更是信息世界的基石，它們承載著連接未來、改變世界的巨大能量。它讓我對這個領域産生瞭更深層次的興趣，並渴望進一步探索其在通信、計算等領域的無限可能。

评分☆☆☆☆☆

從《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》這本書中，我獲得的不僅僅是理論知識，更是一種對“工程智慧”的感悟。書中對現代半導體器件的測試和錶徵方法，如IV特性測試、CV特性測試、瞬態響應測試等，進行瞭詳盡的介紹。作者不僅解釋瞭這些測試的目的和原理，還詳細講解瞭如何通過這些測試來評估器件的性能、可靠性以及潛在的缺陷。我尤其欣賞書中對如何從測試數據中解讀器件信息，以及如何利用這些信息來改進器件設計的講解。它讓我明白瞭，在實際的工程開發中，理論知識與實踐經驗是如何相輔相成的。這本書，讓我看到瞭半導體産業背後嚴謹的質量控製體係，以及工程師們是如何通過精密的測試來確保産品的質量和性能。它讓我更加敬佩那些默默工作在實驗室和生産綫上的技術人員，正是他們的辛勤付齣，纔有瞭我們今天享受的科技成果。

评分☆☆☆☆☆

《Semiconductor Devices：Physics and Technology（颱大九十週年校慶版）》這本書，無疑是我在電子工程學習道路上遇到的最寶貴的財富之一。它不僅僅是一本教科書，更像是一位循循善誘的導師，將我從對半導體世界的迷茫引嚮清晰的理解。書中對絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件的闡述，尤其讓我印象深刻。作者以一種極具啓發性的方式，詳細剖析瞭IGBT的工作原理、結構特點以及它在功率電子領域所扮演的關鍵角色。從載流子注入到電場控製，再到電流的放大效應，每一個環節都被分解得細緻入微，配閤著精心繪製的示意圖，使得這些復雜的概念變得觸手可及。我尤其贊賞書中對不同類型功率器件的性能比較和應用場景的分析，這讓我能夠更直觀地理解，為什麼在不同的應用場景下，工程師會選擇特定的器件。例如，在電動汽車的驅動逆變器中，IGBT的優越性就得到瞭充分的體現。此外，書中關於光電器件的部分，如LED和光電二極管的講解，也讓我大開眼界。我之前一直對這些發齣光和接收光的“神奇”器件感到好奇，而這本書則為我揭開瞭它們背後的奧秘。從光子的産生和吸收，到pn結的特殊設計，再到不同材料的選擇對發光效率和光譜的影響，作者都進行瞭深入淺齣的講解，讓我對現代顯示技術和光通信技術有瞭更深刻的認識。