半導體乾蝕刻技術 epub pdf txt mobi 電子書下載 2024

圖書介紹

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著者

齣版者出版社：白象文化訂閱出版社新書快訊新功能介紹

翻譯者譯者：倪志榮

齣版日期出版日期：2015/03/01

語言語言：繁體中文

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發錶於2024-05-21

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圖書描述

　　日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。

　　◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
　　◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
　　◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。

　　針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！

　　非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？

　　本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。
從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。

　　《半導體乾蝕刻技術》精彩內容請看：www.pressstore.com.tw/freereading/9789863581291.pdf

著者信息

作者簡介

野尻一男（Nojiri Kazuo）

　　■1973年　群馬大學工學部電子工學科畢業。
　　■1975年　群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
　　■1975年　進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
　　■2000年　進入Lam Research公司擔任董事‧CTO至今。

　　主要受獎
　　■1989年　以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
　　■1994年　以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。

　　主要著作
　　《先端電氣化學》（丸善）共著
　　《半導體プロセスにおけるチャージング･ダメージ》(リアライズ社）共著

譯者簡介

倪志榮（Ni, Chih-Jung)

　　■1988年　國立清華大學畢業
　　■1991年　中日交流協會留日獎學生
　　■1993年　日本東京大學工學院碩士
　　■2014年　中部科學園區模範勞工
　　■曾任地球村美日語中心日語講師

　　現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。

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圖書目錄

序言

譯者序

第１章　半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
1.1 乾蝕刻的概要
1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數
1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
參考文獻

第２章　乾蝕刻的機制
2.1 電漿的基礎
1 電漿是什麼
2 電漿的各物理量
3 電漿中的碰撞反應過程
2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為
1 離子鞘與Vdc
2 離子鞘內的離子散射
2.3 蝕刻製程的建構方法
1 乾蝕刻的反應過程
2 非等向性蝕刻的機制
3 側壁保護過程
4 蝕刻率
5 選擇比
6 總結
參考文獻

第３章　各種材料的蝕刻
3.1 閘極蝕刻
1 Poly-Si閘極蝕刻
2 晶圓面內CD均勻度的控制
3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻
4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻
5 Si基板的蝕刻
3.2 SiO2蝕刻
1 SiO2蝕刻的機制
2 SiO2蝕刻的關鍵參數
3 孔洞系列的蝕刻
4 SAC蝕刻
5 Spacer蝕刻
3.3 連線蝕刻
1 Al連線蝕刻
2 Al連線的防腐蝕處理技術
3 其它連線材料的蝕刻
3.4 總結
參考文獻

第４章　乾蝕刻設備
4.1 乾蝕刻設備的歷史
4.2 圓筒型電漿蝕刻機
4.3 CCP電漿蝕刻機
4.4 磁電管RIE
4.5 ECR電漿蝕刻機
4.6 ICP電漿蝕刻機
4.7 乾蝕刻設備的實例
4.8 靜電吸盤
1 靜電吸盤的種類以及吸附原理
2 晶圓溫度控制的原理
參考文獻

第５章　乾蝕刻損傷
5.1 導入Si表層的損傷
5.2 充電損傷
1 充電損傷的評鑑方法
2 充電的發生機制
3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
4 起因於圖形的閘極氧化層破壞
參考文獻

第６章　新蝕刻技術
6.1 Cu 鑲嵌蝕刻
6.2 Low-k蝕刻
6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
6.4 金屬閘極／High-k蝕刻
6.5 FinFET蝕刻
6.6 雙重圖形定義
6.7 用於3D IC的蝕刻技術
參考文獻

第７章　乾蝕刻技術今後的課題與展望
7.1 關於乾蝕刻的技術革新
7.2 今後的課題與展望
7.3 作為工程師的心理準備
參考文獻

圖書序言

第3章　各種材料的蝕刻

在本章，針對實際被使用於半導體製造程序的材料的蝕刻作解說。關於半導體製程的蝕刻大致分為：(1)Si系列的蝕刻；(2）介電層系列的蝕刻；(3）連線材料的蝕刻。在本章，舉例在各範疇中構成基礎技術的閘極蝕刻、孔洞系列的SiO2蝕刻、間隙壁蝕刻以及Al合金層積金屬結構的蝕刻，針對這些作詳細說明。在此並不侷限於只是各論，關於支配蝕刻的參數及其控制方法，也能夠理解的作解說。構成方式是關於這些蝕刻如果能先加以理解，對於其它材料也能有效的應用。例如，在閘極蝕刻，雖然針對Poly-Si閘極、WSi2/Poly-Si閘極、W/WN/Poly-Si閘極的蝕刻敘述，但是如果完全的理解這些，關於STI及W連線等的蝕刻，也能夠以類似的途徑構築製程。而且在閘極蝕刻，不僅是加工形狀，晶圓面內的圖型尺寸的偏差該如何降低，也是強烈的被要求。關於這點，也從支配圖型尺寸的晶圓面內均勻度的參數為何，還有其控制方法為何的觀點，加以解說。

SiO2的蝕刻機制與Si系列不同，而且適合蝕刻的電漿也不同。因此在本章針對蝕刻機制，以及支配蝕刻的關鍵參數，也深入的解說，並且能夠理解氣體系統的構成方法，以及間距狹窄的平行板型蝕刻機被使用的理由等。

在Al連線蝕刻方面，也談論到在製造工程上造成問題的Al腐蝕，並且針對其對策方法作解說。此外，關於連線，取代Al連線的Cu鑲嵌連線技術目前已成為主流，關於這點則在第六章的「新蝕刻技術」中敘述。

3.1 閘極蝕刻

首先一開始針對閘極蝕刻作敘述。閘極蝕刻的工程流程如同已經在第一章的圖1-5所說明。閘極乃決定電晶體特性的重要部分，特別是由於MOS電晶體的臨界電壓（Vth）取決於閘極尺寸，蝕刻完成後的尺寸（CD）的控制非常重要。在65nm之後的節點，邏輯元件的物理上閘極長度變成在45nm以下，接近25nm。在該處，不僅是CD本身的精度，CD的晶圓面內的偏差也強烈的被要求抑制變低。例如，在CD為30nm的閘極，就300mm晶圓面內的CD均勻度（3σ）而言，被要求須在3nm以下。蝕刻形狀理所當然被要求垂直形狀，而且，隨著微縮化的同時，對於愈來愈薄膜化的閘極氧化層，被要求須有高選擇比。就閘極材料而言，在邏輯元件是Poly-Si，而在DRAM則是WSi2/Poly-Si或W／WN／Poly-Si層積結構被使用中。