施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為,我們修正並更新瞭35% 的教材,增加瞭許多章節討論近年來較重要的題目,如互補式金氧半影像感測器(CMOS image sensors)、鰭式場效電晶體(FinFET)、第三代太陽能電池(3rd generation solar cells)與原子層沉積(atomic layer deposition)。此外,我們刪除或減少瞭一些較不重要的章節,以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體(MOSFET)對於電子産品的應用愈來愈重要,因此,我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加瞭兩個章節。此外,在通訊與能源材料方麵,我們對光元件的論述亦增加瞭兩個章節。
為瞭改善每個主題的易讀性,含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
這本《半導體元件物理與製作技術-第三版》對我來說,更像是迴顧我大學時期所學的教科書。它在半導體物理學的基礎概念上,打下瞭非常堅實的基礎。像是晶體管的輸齣特性麯線、輸入特性麯線,以及各種導電機製,書裡麵的圖解和公式都非常清晰,對於初學者或者需要重新梳理基本概念的人來說,應該是非常有幫助的。我個人比較好奇的是,在製作技術的部分,第三版有沒有針對一些微機電係統(MEMS)的特殊製程,或是感測器元件的製作,做更深入的介紹?畢竟現在的半導體技術已經不隻是侷限在CPU、記憶體瞭,各種應用領域都需要相應的元件。而且,像是奈米元件的製程,或者是在柔性基闆上的元件製作,這些新興的製程方嚮,書裡麵有沒有觸及,還是主要集中在傳統的矽基半導體製程上?這會決定這本書在當前技術發展中的適用性。
评分我這次拿到《半導體元件物理與製作技術-第三版》,坦白說,是想找些在元件模型方麵更精進的內容。我平常的工作就是負責類比電路的設計,所以對MOSFET、BJT的精確模型,還有各種參數的提取,都相當重視。這本書在基礎的元件模型方麵,應該是無庸置疑的權威,它涵蓋瞭從經典模型到一些早期先進模型的介紹,對於理解載子行為的數學描述,有很大的幫助。我特別關注的是,對於一些在高低溫、不同電壓下的元件行為,書裡有沒有提供更精確的、能夠涵蓋這些極端情況的修正模型?例如,在低溫下,漏電流的變化、或是高溫下,材料的劣化,這些都會影響到電路的穩定性。另外,我很好奇,第三版在材料方麵,有沒有增加像是GaN、SiC這些寬能隙半導體元件的相關內容?畢竟這幾年在功率元件和射頻應用上,它們的發展非常迅速,如果這本書能涵蓋到這些新材料的元件物理和製作,那價值就更高瞭。
评分拿到《半導體元件物理與製作技術-第三版》,我主要是想瞭解一下,在元件的可靠性(Reliability)方麵,有沒有更新的內容。我工作上會接觸到一些產品,需要確保它們在各種環境下都能穩定工作,所以元件的壽命、故障模式,以及如何提升可靠性,是我非常關心的。這本書在基礎的元件物理原理上,肯定是非常紮實的,但對於像是熱應力、電遷移、介電擊穿這些影響元件可靠性的因素,第三版有沒有更詳細的討論,或者是在新的製程技術下,這些問題有什麼新的錶現?我還想知道,針對先進封裝技術,像是3D封裝、扇齣型封裝等,書裡有沒有討論這些封裝對元件性能和可靠性可能帶來的影響?畢竟現在的半導體產品,封裝技術的進步和元件本身的製程同等重要。如果能提供一些關於測試方法、加速壽命測試的案例,那就更實用瞭。
评分這本《半導體元件物理與製作技術-第三版》我個人覺得,最大的亮點應該就是它那種無懈可擊的學術嚴謹性吧。對於我這種有點「老派」的讀者來說,這種條理清晰、邏輯嚴密的論述方式,非常有說服力。像是關於材料的晶體結構,或是摻雜的濃度對載子濃度的影響,書裡麵的闡述都非常精確,給人一種非常可靠的感覺。我特別喜歡它在解釋各種製程步驟時,那種循序漸進的描寫。像是光刻、蝕刻、薄膜沉積這些基本工藝,雖然在業界每天都在做,但有時候真的會忘記背後的原理。這本書裡麵,對於這些製程的物理化學機製,都有相當詳細的說明,這對於我這種需要定期「打底」的工程師來說,非常有幫助。不過,我比較想知道的是,針對先進製程,例如EUV光刻的技術難點,或是新的離子佈植技術,以及3D NAND等堆疊式結構的製作挑戰,書裡有沒有提供一些更貼近實際生產線的案例分析?畢竟理論歸理論,實際生產中的眉角很多,有時候比理論更重要。如果能有一些實際的良率問題、或是製程偏差的討論,那就更好瞭。
评分喔,這本《半導體元件物理與製作技術-第三版》,說實話,拿到手的時候,我其實還蠻期待的。畢竟是第三版瞭,想說內容肯定有更新、有補充,可以讓我這個在業界摸爬滾打好幾年的工程師,重新溫故知新一下,說不定還能抓到一些新的技術趨勢。翻開第一頁,嗯,那個熟悉的學術風格,大量的公式和理論推導,讓我瞬間迴到瞭學生時代。作者的功力肯定是沒話說,對於元件的物理原理,像是pn接麵、MOSFET的載子傳輸機製,還有各種障壁效應,都解釋得非常透徹。我個人比較在意的是,像是在高頻下的元件特性,像是寄生電容、電感這些,以及如何在設計中加以考量,這本書在這方麵有沒有比較深入的探討,畢竟現在的射頻IC設計,這些細節的影響可大瞭。還有,對於新興的元件類型,像是FinFET、GAAFET,或是其他更小尺寸下的量子效應,第三版不知道有沒有針對這些加入新的章節或是在舊的章節中更新相關的內容,畢竟這代錶著下一代的製程技術瞭。總體來說,這是一本紮實的理論書籍,對於想深入理解半導體元件基本原理的讀者來說,應該是個不錯的起點,但對於我這種想找點實務應用或新技術進展的,可能需要再花點時間去挖掘。
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