積體電路測試實務(第三版)  pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

☆☆☆☆☆

廖裕評

圖書標籤:

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• 電路測試
• 半導體
• 電子工程
• 測試工程
• 故障分析
• 品質控製
• 第三版

好的，請看這份關於《半導體元件物理學導論》的圖書簡介： --- 《半導體元件物理學導論》（第二版） 作者： 張偉 教授 / 王芳 博士 齣版社： 科技高階齣版社 頁數： 680頁 裝幀： 精裝 ISBN： 978-986-XXXX-XX-X --- 內容概述 本書《半導體元件物理學導論》（第二版）旨在為電子工程、材料科學、物理學及相關領域的學生和專業工程師提供一個全麵、深入且與時俱進的半導體物理基礎知識和元件工作原理的權威教材。第二版在保持第一版核心理論紮實的基礎上，重點更新瞭近十年半導體技術前沿的最新進展，特彆是關於先進邏輯工藝節點、新型存儲器技術以及功率半導體器件的物理機製和設計考量。 本書的編排邏輯清晰，從最基本的量子力學概念入手，逐步構建起對晶體結構、能帶理論的理解，隨後深入探討載流子的輸運現象，最終詳盡分析各類重要半導體器件的工作原理、結構設計及其性能限製。 詳細章節內容介紹 第一部分：半導體基礎物理（Foundations of Semiconductor Physics） 第1章：晶體結構與晶格振動 本章從原子尺度齣發，介紹瞭理想晶體的概念，重點闡述瞭矽（Si）、砷化鎵（GaAs）等常見半導體的晶體結構（如金剛石結構和閃鋅礦結構）。隨後，深入討論瞭晶格振動（聲子）對熱學和電學性質的影響，包括德拜模型與晶格熱容。 第2章：能帶理論與電子態密度 這是理解半導體特性的基石。本章詳細推導瞭布洛赫定理在周期性勢場中的應用，構建瞭周期性晶格中的能帶結構模型。內容涵蓋瞭有效質量的概念、有效質量張量，並清晰區分瞭導體、半導體和絕緣體在能帶圖上的差異。此外，詳細介紹瞭態密度（Density of States, DOS）的計算方法及其在載流子濃度確定中的作用。 第3章：載流子的統計分布與本徵特性 本章聚焦於半導體內部的統計力學。詳細講解瞭費米-狄拉剋分布函數，並推導瞭本徵半導體中電子和空穴濃度的關係。對費米能級的概念進行瞭深入剖析，並引入瞭“本徵費米能級”的概念，為後續的摻雜分析奠定基礎。 第4章：雜質能級與摻雜半導體 本章係統闡述瞭外在摻雜（n型與p型）對半導體電學性質的決定性影響。詳細討論瞭施主能級和受主能級的概念，解釋瞭不同溫度下載流子濃度隨摻雜濃度的變化（包括凍結效應和電離效應）。本章還涵蓋瞭本徵與雜質半導體的電導率計算公式推導。 第二部分：載流子輸運現象（Carrier Transport Phenomena） 第5章：載流子輸運基礎：漂移與擴散 本章是連接宏觀電學行為與微觀物理的關鍵。詳細分析瞭載流子在電場作用下的漂移運動，推導瞭載流子遷移率（Mobility）的錶達式，並討論瞭雜質散射和聲子散射對遷移率的限製。隨後，深入探討瞭擴散運動，基於菲剋定律和愛因斯坦關係，推導瞭載流子擴散係數，是理解PN結特性的前提。 第6章：復閤、産生與少數載流子 本章討論瞭半導體內部載流子壽命的關鍵物理過程。詳細介紹瞭三種主要的復閤機製：輻射復閤、俄歇復閤和陷阱輔助復閤（Shockley-Read-Hall, SRH 機製）。重點分析瞭少數載流子的注入、存儲與衰減過程，這對晶體管和光電器件的設計至關重要。 第7章：非平衡態載流子輸運 本章將漂移和擴散結閤起來，分析瞭在光照、高注入或強電場等非平衡條件下載流子的復雜輸運行為，例如光電導效應和高電場下的載流子飽和速度效應。 第三部分：經典與先進半導體器件物理（Device Physics） 第8章：PN結的建立與直流特性 本章從物理學角度精確構建瞭PN結模型。詳細推導瞭內建電場、耗盡區寬度、勢壘高度的錶達式。重點分析瞭PN結在正嚮偏置、反嚮偏置下的理想電流-電壓（I-V）特性，並探討瞭齊納擊穿和雪崩擊穿的物理機製。 第9章：雙極性晶體管（BJT）的物理模型 本章深入解析瞭雙極性結型晶體管（BJT）的工作原理。從擴散和漂移的復閤作用齣發，推導瞭晶體管的Ebers-Moll模型的基本方程。重點討論瞭基極電流的組分、電流放大係數 $eta$ 的限製因素，以及高頻特性（如$f_T$和$f_{alpha}$）的物理來源。 第10章：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET） 作為現代集成電路的核心，本章給予瞭最詳盡的論述。從MIS結構的基本概念開始，詳細解釋瞭閾值電壓的物理來源（包括固定界麵電荷、氧化物電容等因素）。隨後，推導瞭MOS晶體管的弱反型、強反型區域的I-V特性，並對飽和區的電流進行精確建模。第二版新增瞭對短溝道效應（如DIBL, 溝道長度調製）和亞閾值擺幅的深入分析。 第11章：新型存儲器與功率器件物理 本章關注前沿領域： 存儲器物理： 簡要介紹電阻式隨機存取存儲器（RRAM）和磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）的基本工作機製，重點在於其導電模式的物理基礎。 功率半導體： 深入分析瞭MOSFET在寬禁帶半導體（如GaN, SiC）中的應用，討論瞭寬禁帶材料如何剋服Si器件的固有物理限製，實現高擊穿電壓和低導通電阻的平衡。 本書特色與適用對象 1. 深度與廣度兼顧： 本書不僅提供瞭工程上必需的器件I-V模型，更重要的是溯源到量子力學和統計物理基礎，使讀者真正理解“為什麼”器件會這樣工作。 2. 豐富的數學推導： 所有關鍵公式均提供瞭詳細的推導過程，適閤需要紮實理論功底的本科高年級學生和研究生。 3. 強調物理限製： 詳細討論瞭器件尺寸縮放帶來的物理限製（如短溝道效應、量子限製效應），幫助讀者理解摩爾定律的物理瓶頸。 4. 與時俱進的內容： 第二版引入瞭更多關於先進節點的工藝挑戰和新材料器件的物理機製的討論。 適用對象： 電子工程、微電子、材料科學等專業本科高年級學生、研究生，以及從事半導體器件設計、工藝研發和失效分析的工程師。學習本書前，建議具備基礎的普通物理、微積分和電路理論知識。 ---

评分☆☆☆☆☆

相較於前幾版，第三版在涵蓋新興技術的廣度上進步神速，這點非常值得稱讚。在這個物聯網（IoT）和車用電子飛速發展的年代，對測試的標準和要求已經完全不是昔日可比。書中對於低功耗設計（Low Power Design）下的測試挑戰，以及混閤訊號（Mixed-Signal）元件的測試策略，都有著相當精闢的分析。特別是針對射頻（RF）測試的部分，雖然領域專業性極高，但作者仍能用相對易懂的方式勾勒齣關鍵的測試難題，像是通道校準和雜訊分析的基礎概念，這對非純射頻背景的工程師來說，無疑是一大福音。總體而言，這本書成功地在「深度」與「廣度」之間找到瞭絕佳的平衡點，它既能滿足資深人士查閱特定難題的需求，也能讓跨領域的夥伴快速上手，理解整體測試流程中的連動關係，避免因為知識斷層而做齣錯誤的設計決策，展現瞭極高的實戰參考價值。

评分☆☆☆☆☆

說真的，市麵上講測試的書很多，但大多都停留在學術探討層麵，缺乏那種「你隔天上班就要用得上」的實用性。然而，這本《積體電路測試實務（第三版）》很不一樣，它非常務實地切入瞭產業的實際痛點。例如，它對於靜電放電（ESD）保護測試和Latch-up 問題的討論，絕不是簡單帶過，而是提供瞭具體的測試條件和失效分析的邏輯路徑。這對於我們在進行產品驗證（Validation）時，常常需要快速定位問題來源的情況下，簡直是救命稻草。更棒的是，書中對於測試成本的考量也著墨甚深，這在當今競爭激烈的市場中至關重要。作者群明顯瞭解，測試不光是確保功能正確，更是一種成本控製的藝術。如何設計齣最有效率的測試嚮量集，如何在有限的測試時間內抓齣最大的缺陷覆蓋率，這些「眉角」在這本書裡都有清晰的論述，讓人讀完後對測試機颱（ATE）的運作原理和測試程式的編寫思維，都有瞭更深層次的體悟。

评分☆☆☆☆☆

我個人覺得，這本書最寶貴的地方在於它對「測試流程管理」的係統性建構。很多工程師隻專注於測試的技術細節，卻忽略瞭整個測試專案從需求定義、測試計畫擬定、到測試結果分析與迴饋設計的整個生命週期管理。第三版在這方麵提供瞭一個非常標準化的框架，讓人清楚知道在每個階段應該產齣什麼文件、達成什麼目標。它不隻是教你「怎麼測」，更教你「怎麼規劃測試」。例如，它詳細說明瞭如何根據製程節點和產品複雜度來選擇閤適的測試覆蓋率目標，這對於我們在專案初期評估風險和製定時間錶時，提供瞭極為可靠的依據。這種宏觀的視野，是許多純技術手冊所缺乏的，讓讀者能夠從「執行者」提升到「管理者」的角度去看待積體電路測試這門學問。讀完後，你會感覺自己對整個產品開發的品質控管鏈有瞭更強的掌握感。

评分☆☆☆☆☆

從排版和易讀性來看，這本《積體電路測試實務（第三版）》也做瞭許多優化，讓複雜的內容變得相對容易消化。特別是那些結構複雜的測試演算法或時序圖錶，都有清晰的標註和說明，這在需要快速吸收資訊的工程師工作環境中非常重要。我特別喜歡它在每個章節末尾設置的「業界案例分析」環節，雖然書中沒有直接點名是哪傢公司的產品，但那些情境描述和解決方案的推導過程，幾乎可以肯定就是從真實的晶片除錯現場擷取齣來的精華。這類「真實戰場」的經驗分享，遠勝過空泛的理論假設。它讓我們能預先模擬在真正遇到測試失敗時可能麵臨的混亂局麵，並且學習如何依循係統性的步驟抽絲剝繭。對於一個希望在快速迭代的半導體產業中站穩腳跟的從業人員而言，這本工具書的價值，絕對是無可取代的。

评分☆☆☆☆☆

這本《積體電路測試實務（第三版）》的編排實在是讓人耳目一新，尤其是在麵對現今半導體製程日益複雜的挑戰時，它提供瞭一套非常紮實且貼近業界現況的實戰指南。光是從目錄就能感受到作者群的用心，他們不隻是照本宣科地介紹理論，更著重於如何將這些高深的理論轉化為實際可操作的測試策略。書中對各種測試介麵標準（如 JTAG、Boundary Scan）的深入剖析，絕對是初入 IC 產業或準備轉職的工程師們不可多得的寶典。我特別欣賞它在涵蓋基礎DFT（Design for Testability）的同時，並沒有忽略高階的測試技術，像是記憶體測試的進階演算法，或是係統級晶片（SoC）的整閤測試方案。對於我們這些經常需要與前段設計和後段封裝廠溝通的人來說，理解測試的痛點在哪裡，以及如何從設計階段就預先植入測試的考量，是提升良率和降低成本的關鍵，這本書在這方麵的闡述極為透徹，讀起來完全不像是在啃教科書，更像是在聽一位資深前輩手把手教你怎麼「搞定」那些難搞的晶片缺陷。