半導體製程技術導論(第三版)

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圖書描述

本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版),提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,是半導體製程實務最為钜細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院,電子、電機、資工、機械係『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。

本書特色

  1.本書延續上一版,極完整的章節架構,並更新瞭各相關新技術。

  2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的曆史發展有更完整的瞭解。

  3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,使學生熟悉各種加工原理及其應用領域,以作為投入電子工業之基礎訓練課程。

著者信息

圖書目錄

第一章 導論 1
1.1 積體電路發展曆史 3
1.2 積體電路發展迴顧 14
1.3 本章總結 22
習題 22
參考文獻 22

第二章 積體電路製程介紹 25
2.1 積體電路製程簡介 26
2.2 積體電路的良率 26
2.3 無塵室技術 30
2.4 積體電路製程區間基本結構 38
2.5 積體電路測試與封裝 48
2.6 積體電路未來發展趨勢 55
2.7 本章總結 56
習題 57
參考文獻 58

第三章 半導體基礎 59
3.1 半導體基本概念 60
3.2 半導體基本元件 64
3.3 積體電路晶片 75
3.4 積體電路基本製程 79
3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86
3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90
3.7 本章總結 92
習題 93
參考文獻 93

第四章 晶圓製造 95
4.1 簡介 96
4.2 為什麼使用矽材料 96
4.3 晶體結構與缺陷 98
4.4 晶圓生産技術 101
4.5 磊晶矽生長技術 109
4.6 基闆工程 117
4.7 本章總結 121
習題 122
參考文獻 122

第五章 加熱製程 125
5.1 簡介 126
5.2 加熱製程的硬體設備 126
5.3 氧化製程 130
5.4 擴散製程 150
5.5 退火過程 155
5.6 高溫化學氣相沉積 159
5.7 快速加熱製程(RTP)係統 167
5.8 加熱製程發展趨勢 174
5.9 本章總結 176
習題 177
參考文獻 178

第六章 微影製程 179
6.1 簡介 180
6.2 光阻 181
6.3 微影製程 184
6.4 微影技術的發展趨勢 210
6.5 安全性 228
6.6 本章總結 229
習題 231
參考文獻 232

第七章 電漿製程 235
7.1 簡介 236
7.2 電漿基本概念 236
7.3 電漿中的碰撞 238
7.4 電漿參數 242
7.5 離子轟擊 247
7.6 直流偏壓 249
7.7 電漿製程優點 251
7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255
7.10 高密度電漿製程 260
7.11 本章總結 262
習題 263
參考文獻 263

第八章 離子佈植製程 265
8.1 簡介 266
8.2 離子佈植技術簡介 273
8.3 離子佈植技術硬體設備 281
8.4 離子佈植製程過程 290
8.5 安全性 304
8.6 離子佈植技術發展趨勢 306
8.7 本章總結 308
習題 309
參考文獻 310

第九章 蝕刻製程 311
9.1 蝕刻製程簡介 312
9.2 蝕刻製程基礎 314
9.3 濕式蝕刻製程 320
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325
9.5 電漿蝕刻製程 338
9.6 蝕刻製程發展趨勢 357
9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359
9.8 本章總結 361
習題 362
參考文獻 362

第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365
10.1 簡介 366
10.2 化學氣相沉積 368
10.3 介電質薄膜的應用 385
10.4 介電質薄膜特性 393
10.5 介電質CVD製程 406
10.6 塗佈鏇塗矽玻璃 420
10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421
10.8 介電質CVD反應室清潔 424
10.9 製程發展趨勢與故障排除 428
10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434
10.11 本章總結 441
習題 443
參考文獻 444

第十一章 金屬化製程 447
11.1 簡介 448
11.2 導電薄膜 450
11.3 金屬薄膜特性 464
11.4 金屬化學氣相沉積 472
11.5 物理氣相沉積 481
11.6 銅金屬化製程 493
11.7 安全性 499
11.8 本章總結 499
習題 501
參考文獻 502

第十二章 化學機械研磨製程 503
12.1 簡介 504
12.2 CMP硬體設備 514
12.3 CMP研磨漿 517
12.4 CMP基本理論 523
12.5 CMP製程過程 529
12.6 CMP製程發展趨勢 538
12.7 本章總結 539
習題 540
參考文獻 542

第十三章 半導體製程整閤 545
13.1 簡介 546
13.2 晶圓準備 546
13.3 隔離技術 548
13.4 井區形成 554
13.5 電晶體製造 557
13.6 金屬高k閘極MOS 561
13.7 互連技術 565
13.8 鈍化 574
13.9 總結 575
習題 575
參考文獻 576

第十四章 IC製程技術 577
14.1 簡介 578
14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578
14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582
14.4 2000年代CMOS製程流程 596
14.5 2010年代CMOS製程流程 615
14.6 記憶體晶片製造製程 627
14.7 本章總結 644
習題 645
參考文獻 646

第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649
參考文獻 656

圖書序言

圖書試讀

用户评价

评分

這本書對我這個跨行的新手來說,真的是打開瞭一扇新世界的大門。我之前對半導體行業一直很好奇,但又覺得它特彆高深莫測,感覺離我很遙遠。偶然的機會看到這本《半導體製程技術導論(第三版)》,想說試試看能不能稍微瞭解一下。沒想到,它的入門門檻設定得恰到好處。它並沒有一開始就轟炸式的介紹那些晦澀難懂的化學方程式或物理定律,而是從半導體是什麼、為什麼它那麼重要開始說起,循序漸進地介紹各種基礎概念,比如PN結、MOSFET等等,這些都是最核心的東西。而且,它還在後麵詳細介紹瞭半導體製造的各個環節,從晶圓的製備到最終的封裝,每一個步驟都解釋得很清楚,還配有很多示意圖,讓我這個完全沒概念的人也能大緻明白整個流程是怎樣的。我最喜歡的部分是關於光刻技術的部分,它把不同代的光刻技術原理和發展趨勢都講得很明白,讓我對EUV等先進技術有瞭更直觀的認識。這本書沒有讓我感到壓力,反而激發瞭我進一步探索這個領域的興趣,感覺離我的“半導體夢”又近瞭一步。

评分

老實說,我買這本《半導體製程技術導論(第三版)》的初衷,是想找一本能幫我梳理一下過去幾年工作中遇到的各種製程問題。我自己在封裝廠工作,經常會遇到良率下降、或者某些特殊材料處理上的瓶頸。這本書的內容,雖然是介紹整個半導體製程,但它對很多關鍵工藝的細節都有相當深入的探討,比如在薄膜沉積的部分,它不僅講瞭CVD、PVD這些基本原理,還詳細分析瞭不同前驅體、工藝參數對薄膜厚度均勻性、化學成分、以及應力的影響。這對我理解為什麼某個批次的薄膜性能不穩定,提供瞭很好的思路。另外,在蝕刻工藝的章節,它對乾式蝕刻和濕式蝕刻的機理,以及等離子體的特性,都有非常細緻的描述,這對我排查蝕刻過程中的缺陷,比如側壁過度侵蝕或者底部不均勻,非常有幫助。這本書沒有迴避那些復雜的技術細節,但它的敘述方式很有條理,能讓有一定基礎的讀者快速抓住重點,並從中找到解決實際問題的綫索。

评分

我之前在大學時期也接觸過半導體相關的課程,但當時感覺很多東西都很抽象,很難將理論和實際聯係起來。畢業工作後,雖然在半導體行業,但主要還是做一些市場分析或者銷售方麵的工作,對製程的瞭解一直是比較錶麵化的。這次偶然看到《半導體製程技術導論(第三版)》,想說再好好學習一下,結果真的讓我驚喜。這本書的語言風格非常學術化,但也充滿瞭邏輯性,它不會刻意去迎閤大眾讀者,而是把最核心、最前沿的技術內容呈現齣來。它在很多章節都引用瞭最新的研究成果和技術進展,比如在先進邏輯器件的製程方麵,它就詳細介紹瞭 FinFET、GAA 這些新一代晶體管結構是如何實現的,以及相關的製程挑戰。這種內容的前沿性,讓我感覺這本書不僅僅是一本“導論”,更是一本能夠引導我去瞭解行業未來發展方嚮的參考書。雖然有些地方我可能還需要反復閱讀纔能完全理解,但它確實提供瞭一個非常好的平颱,讓我能夠更深入地接觸到半導體製程最精密的知識。

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真的,這本《半導體製程技術導論(第三版)》對我來說簡直是及時雨!我平常在麵闆廠工作,雖然接觸到很多製程相關的操作,但說實話,很多原理性的東西,我都是模模糊糊的。特彆是近來公司在推新的高階製程,很多術語聽得我一愣一愣的。這本書就像一個非常耐心的老師,把那些復雜的物理化學反應、各種光刻、蝕刻、薄膜沉積的原理,都用一種相對容易理解的方式講清楚瞭。它沒有直接丟一堆公式在那裏,而是先從基礎的材料性質、原子層麵的交互作用開始講起,然後一步步引申到具體的工藝步驟。我特彆喜歡它對每種製程的優缺點、適用範圍的分析,這樣我纔能更清楚地知道為什麼我們公司會在某些環節選擇特定的技術,以及未來可能的發展方嚮。而且,書裏的圖示和流程圖都畫得很清晰,很多地方我甚至會一邊看書一邊對照自己工作中的實際情況,感覺茅塞頓開。雖然我還沒完全讀完,但感覺這本書在幫我建立一個紮實的理論基礎,讓我不再隻是一個操作工,而是能真正理解“為什麼”這樣做的工程師。

评分

這本書帶給我的最大感受,就是它在“廣度”和“深度”之間找到瞭一個非常好的平衡點。作為一名在半導體設備廠工作多年的工程師,我接觸過各種與半導體設備相關的技術,但要我係統地講清楚整個製程,我可能也會有些環節說得不夠到位。這本《半導體製程技術導論(第三版)》正好彌補瞭我這方麵的不足。它從最上遊的矽片生長,到中遊的光刻、蝕刻、薄膜、擴散、離子注入,再到下遊的互連和封裝,幾乎覆蓋瞭半導體製造的每一個關鍵環節。而且,對於每一個環節,它都不僅僅是簡單介紹“是什麼”,而是深入到“為什麼”以及“如何做”。比如在介紹離子注入時,它會詳細講解不同能量、劑量、角度對摻雜分布的影響,以及如何控製這些參數來實現特定的器件性能。這種由淺入深、由宏觀到微觀的講解方式,讓我在閱讀過程中,能不斷地將書本知識與我實際接觸到的設備和技術進行對照和印證,感覺自己的知識體係得到瞭一個很好的整閤和提升。

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