微電子電路(II)

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圖書描述

此次改版作瞭以下的更動:

一、電路分析技巧擴展至各種效應的考量。
二、除去較偏、較艱深的題目,而加入Smith第五版新的題目以及93年具代錶性的曆屆試題。
三、元件半導體的些微加強。期望藉由本書的改版,可以提升學子對於「微電子電路」的分析能力與發展方嚮上的把握。

內容針對讀者學習重點分為四個精華部分:

一、基礎的建立:包括電路分析的技巧、放大器的基本觀念等。
二、元件特性的介紹及放大器的中頻分析:針對元件的物理特性及操作原理逐層分析推導。
三、類比積體電路的分析:介紹差動輸入級的分析以及積體電路的主要偏壓方式-電流鏡等。
四、應用電子電路:包括濾波器電路的設計與分析等。讓讀者全麵掌握微電子電路的學習重點。

  本書共分二冊:微電子電路(I)(II),若能與筆者另二本著作:電子學經典題型解析(I)(II),二者搭配使用,讓讀者更能全麵掌握學習重點並提升應考的能力、解提技巧。

本書特色

一、內容由淺入深,連貫性強
  針對理論觀念處,做精確解說,使讀者易於閱讀,快速掌握各章節的關聯性。
二、標題與架構清晰分明
  讓讀者迅速抓住各章節的重點,並有係統的組織其觀念架構。
三、經典範例,分類漸進
  幫助讀者深入瞭解各個觀念,掌握各種應用題型。解題精準,不拖泥帶水。加強讀者分析能力以避免復雜的計算過程。

好的,這是一本涵蓋微電子電路(I)內容的圖書簡介,旨在深入探討半導體器件的物理基礎、模型建立以及基礎模擬電路的設計與分析。 --- 電子學基礎與半導體器件原理 圖書名稱:《模擬集成電路設計入門與基礎器件分析》 書籍簡介: 本書旨在為讀者構建紮實的微電子學基礎,係統性地介紹現代半導體器件的物理工作原理、精確的數學模型,並在此基礎上深入探討最基礎的模擬集成電路的構建與分析方法。本書側重於從微觀的物理層麵理解器件行為,並逐步過渡到宏觀的電路設計層麵,是理解後續復雜模擬電路設計,如運算放大器、濾波器等課程的基石。 第一部分:半導體物理基礎與器件結構 本書的第一部分聚焦於微電子學最核心的物理背景知識。我們將從材料科學的角度齣發,剖析半導體材料的性質。 晶體結構與能帶理論: 詳細闡述矽材料的晶體結構,引入能帶理論(價帶、導帶、禁帶),解釋本徵半導體中載流子的産生與運動。深入分析費米能級在不同材料中的分布規律,這是理解PN結形成和器件工作狀態的基礎。 摻雜與載流子統計: 係統介紹N型和P型摻雜過程,精確推導在不同溫度和摻雜濃度下,電子和空穴的濃度分布,包括熱平衡條件下的載流子統計方程。 PN結的形成與特性: 這是所有半導體器件的基石。本書詳細解析PN結的形成過程,包括空間電荷區、內建電勢的形成。重點分析PN結在不同偏置電壓(零偏、正偏、反偏)下的電壓-電流(I-V)特性麯綫,並推導齣理想二極管模型(如Shockley方程)。此外,還將探討二極管在實際應用中會遇到的非理想效應,如擊穿現象(雪崩擊穿與齊納擊穿)。 第二部分:雙極型晶體管(BJT)的精確建模與分析 在理解瞭二極管的基礎後,本書轉嚮雙極型晶體管(BJT)的深入剖析。我們將不僅關注其開關特性,更注重其在模擬信號放大中的綫性工作區行為。 BJT的結構與工作原理: 詳細介紹NPN和PNP晶體管的物理結構,重點講解發射區、基區和集電區的摻雜差異和厚度比例對性能的影響。闡述載流子在基區內的傳輸機製,包括擴散和漂移。 Ebers-Moll (E-M) 模型: 引入經典且重要的Ebers-Moll模型,用於描述BJT在各種工作狀態下的非綫性I-V特性。通過該模型,讀者可以係統地理解晶體管如何從截止區、飽和區過渡到正嚮有源區。 混閤 $pi$ 模型(Hybrid-pi Model): 為瞭進行小信號交流分析,本書將推導並詳細講解混閤 $pi$ 模型。該模型將晶體管的非綫性特性綫性化,引入輸入電阻 $r_{pi}$、跨導 $g_m$ 以及早期效應電阻 $r_o$。重點在於計算和理解跨導 $g_m$ 對信號放大的核心作用。 BJT的頻率響應: 探討BJT內部的寄生電容(如基極-發射極電容 $C_{pi}$、基極-集電極反饋電容 $C_{mu}$)。通過引入米勒定理(Miller's Theorem),分析這些電容對晶體管高頻性能的影響,推導齣單位增益帶寬(Unity-Gain Bandwidth)的概念。 第三部分:金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的建模與基礎應用 MOSFET是現代CMOS技術的核心,本部分將以同等的深度去解析其工作原理和模型。 MOS結構與基本原理: 詳細解析MOS電容器的結構(金屬-氧化物-半導體)。深入探討在不同柵源電壓($V_{GS}$)作用下,半導體錶麵電荷的變化過程,包括強反型、弱反型和耗盡狀態。 MOSFET的工作區域劃分: 重點講解MOSFET的三種主要工作模式:截止區、綫性區(或稱歐姆區)和飽和區。推導並精確分析這三個區域下的漏極電流($I_D$)方程,強調閾值電壓 ($V_{TH}$) 和跨導參數 ($mu C_{ox} W/L$) 的物理意義。 飽和區精確模型: 討論影響飽和區輸齣電阻的關鍵因素,特彆是溝道長度調製效應(Channel Length Modulation),並引入參數 $lambda$ 來修正飽和電流公式,從而更準確地預測有源區內的輸齣阻抗。 亞閾值導電(Subthreshold Conduction): 對於低功耗設計至關重要的概念。分析當 $V_{GS} < V_{TH}$ 時,器件仍存在的指數型漏電流,引入亞閾值斜率(Subthreshold Swing)的概念,理解其對電路功耗的影響。 第四部分:基礎模擬電路分析 基於前麵對BJT和MOSFET的深入理解,本書的最後一部分開始應用這些器件構建和分析最基本的模擬電路單元。 共源/共射極放大器: 作為最基礎的單級放大器,詳細分析其靜態偏置點的建立。隨後,利用混閤 $pi$ 模型或其對應的MOS小信號模型,計算電路的電壓增益、輸入電阻和輸齣電阻。探討源極/發射極旁路(Bypass)對增益的影響。 共集電極/共漏極跟隨器: 分析該電路作為緩衝器(Buffer)的特性,重點在於理解其高輸入阻抗和低輸齣阻抗的優勢,以及接近單位的電壓增益。 電流源與有源負載: 介紹如何使用晶體管構建理想的電流源,這是構建多級放大器和偏置電路的關鍵。討論晶體管電流源的輸齣電阻(受早期效應影響)。隨後,引入有源負載(如使用晶體管代替電阻)來顯著提高單級放大器的電壓增益。 多級放大器的初步概念: 簡要介紹級聯(Cascading)放大器的目的和基本原理,如何通過多級電路設計實現極高的開環增益,為後續學習運算放大器打下基礎。 總結: 本書內容聚焦於微電子學核心器件的物理機理和基礎模型建立,是理解模擬集成電路設計(如CMOS/BJT的偏置、綫性放大電路設計)的先修課程。通過對器件物理行為的深刻洞察,讀者將能夠擺脫對純粹黑箱模型的依賴,真正理解電路性能的根源所在。

著者信息

圖書目錄

  • 第七章 放大器頻率響應
  • 第八章 負迴授放大器
  • 第九章 輸齣級功率放大器
  • 第十章 類比體積電路
  • 第十一章 濾波器與調諧放大器
  • 第十二章 震盪器和波形産生器
  • 第十三章 數位電路
  • 圖書序言

    圖書試讀

    用户评价

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    這本書的封麵設計我特彆喜歡,那種深邃的藍色背景,配上銀色的字體,一股濃濃的科技感撲麵而來。我是在一個周末的下午,在一傢安靜的書店裏偶然翻到的,當時正對著一排排專業書籍有些茫然,忽然就被它吸引住瞭。我記得當時還猶豫瞭一下,因為對“微電子電路(II)”這個名字總覺得有點距離感,好像是需要一定的基礎纔能讀懂的。但是,當我翻開第一頁,看到那清晰的排版和不算晦澀的引言時,我的疑慮就打消瞭不少。我其實一直對電子産品內部的運作原理充滿好奇,從智能手機到電腦,再到各種智能傢居設備,它們是如何如此精準地協同工作的,這背後一定有著一套精妙的設計。我一直希望能找到一本能夠係統地介紹這些知識的書,而且最好是能夠深入淺齣,讓我這個非專業人士也能有所收獲。這本書的目錄給我留下瞭深刻的印象,它似乎涵蓋瞭從基礎概念到一些比較高級的應用,這讓我對它充滿瞭期待。我希望它不僅僅是一本枯燥的教科書,更能激發我對微電子領域的興趣,甚至能讓我開始思考,未來在這個領域是否能有所作為。

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    這本書的齣版信息吸引瞭我的注意,當我瞭解到它是一本關於微電子電路的進階讀物時,我便産生瞭濃厚的興趣。我一直對電子元件的物理原理和電路的邏輯功能有著極大的好奇心,從小到大,拆解電子玩具,研究電路圖,一直是我的樂趣所在。然而,隨著年齡的增長,我越發意識到,要真正理解這些背後的復雜性,需要更係統、更深入的知識。我一直希望能夠找到一本能夠填補我在這方麵知識空白的書籍,而“微電子電路(II)”這個名字,恰恰暗示瞭它可能是我進一步學習的絕佳起點。我期待這本書能夠帶我走進微電子器件的微觀世界,瞭解半導體材料的特性,晶體管的工作原理,以及如何將這些基礎元件構建成復雜的集成電路。我希望它能幫助我理解那些我們日常生活中隨處可見的電子設備,如智能手機、電腦處理器、甚至是復雜的通信係統,它們是如何工作的,其核心的設計理念是什麼。這本書,在我看來,更像是一次知識的“進階”,是對我好奇心的一次滿足,更是我探索科技奧秘的階梯。

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    我一直對電子技術有著濃厚的興趣,尤其是在大學期間,每次接觸到新的電路設計案例,都會讓我興奮不已。當時接觸的微電子電路知識,總感覺隻是冰山一角,很多深入的原理和應用依然是模糊不清的。所以,當我看到這本書的時候,我的第一反應就是:這可能就是我一直在尋找的那本能夠填補我知識空白的書。我對它抱有很高的期望,希望它能夠提供更前沿的理論知識,更實用的設計方法,以及更貼近實際應用的案例分析。我特彆喜歡那些能夠展示技術演進和創新思路的書籍,它們總能給我帶來很多啓發。我希望這本書能夠讓我對微電子電路的理解更加透徹,能夠讓我從宏觀的係統層麵,到微觀的器件層麵,都有一個更清晰的認知。我期待它能夠幫助我理解那些復雜的芯片是如何被設計齣來的,以及它們在現代科技中扮演著怎樣的核心角色。這本書,對我來說,不僅僅是一本技術書籍,更是一扇通往未來科技世界的大門。

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    我一直對那些能夠將復雜概念解釋得清晰易懂的書籍情有獨鍾。尤其是在學習微電子電路這樣相對專業的領域,一本好的教材,其重要性不言而喻。這本書的封麵設計就給我一種沉穩而專業的印象,讓人覺得裏麵蘊含著紮實的知識。我當時正在尋找一本能夠幫助我係統地梳理和深化微電子電路知識的書籍,因為之前接觸到的知識點比較零散,缺乏整體的框架。我希望這本書能夠提供一種有條理的學習路徑,從基礎概念的復習,到更復雜電路的分析,再到一些實際的應用案例。我尤其關注書中對於一些經典電路和新興技術的講解,例如運算放大器、濾波器、以及一些數字邏輯電路的設計等。我期待它能夠讓我不僅理解“是什麼”,更能理解“為什麼”和“怎麼做”,從而能夠真正地掌握微電子電路的設計和分析方法。這本書的齣現,對我來說,更像是一次係統的“充電”,是對我現有知識體係的一次加固和提升。

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    老實說,我第一次拿到這本書的時候,並沒有立刻著手去讀。我當時正忙著一個項目,手裏堆著好幾本其他領域的書,想著等忙完這段時間再說。但這本書的厚度和它沉甸甸的質感,總是在不經意間吸引我的目光。它被我放在書桌最顯眼的位置,仿佛在提醒我,有一個未知的世界等待我去探索。我一直認為,知識的積纍是一個循序漸進的過程,而“(II)”這個後綴,就暗示瞭它前麵可能有一個“I”。我好奇,它所承載的知識,是否是前一本書知識的延伸和深化?它會對微電子電路的理解産生怎樣的“質”的飛躍?我腦海中構思著,這本書或許會像一把鑰匙,打開我對復雜電路原理的認知大門,讓我能夠更清晰地看到那些隱藏在芯片之下的邏輯和算法。我期待它能帶我領略集成電路設計的奇妙之處,以及那些精密的半導體元器件是如何協同工作的,最終實現我們日常生活中所依賴的各種功能。這本書的齣現,對我來說,更像是一次知識的“升級”,是對我現有認知邊界的一次拓展。

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